一、LED芯片是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片,芯片的一 端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个芯片被环氧树脂封装起来。半导体芯片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料,LED主要依靠芯片来发光。
LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流
程,最终完成如右图的成品-芯片。
外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium Tin Oxide,ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→
平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→
SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→
N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→
P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→
芯片→成品测试。
2、LED芯片的组成元素
LED芯片的元素主要为III-V族元素,主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga、)铟(IN)、磷(P)、
氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
1)按发光亮度分
A、一般亮度:R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、
Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等
B、高亮度:VG(较亮绿色GaP 565nm)、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm)、
SR(较亮红色GaA/AS 660nm);
C、超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等
D、不可见光(红外线):R﹑SIR﹑VIR﹑HIR
E、红外线接收管:PT
F、光电管:PD
2)按组成元素分
A、二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等
B、三元晶片(磷﹑镓﹑砷):SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色GaAlAs 660nm)
UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等
C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、
URF(最亮红色AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、
HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、
UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、
HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) 等
3)按照制作工艺分
LED芯片分为MB芯片,GB芯片,TS芯片,AS芯片等4种
LED芯片 |
定义 |
特点 |
MB芯片 |
Metal Bonding (金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品 |
① 采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易 ② 通过金属层来接合(wafer bonding)磊芯层和衬底,同时反 射光子,避免衬底的吸收 ③ 导电的Si衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导 热系数相差3-4倍),更适应于高驱动电流领域 ④ 底部金属反射层,有利于光度的提升及散热 ⑤ 尺寸可加大,应用于High power 领域 |
GB芯片 |
Glue Bonding (粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品 |
① 透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底 ② 芯片四面发光,具有出色的Pattern图 ③ 亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil) ④ 双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片 |
TS芯片 |
transparent structure (透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品 |
① 芯片工艺制作复杂,远高于AS LED ② 信赖性卓越 ③ 透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高 ④ 应用广泛 |
AS芯片 |
Absorbable structure (吸收衬底)芯片,这里特指UEC的AS芯片 |
① 四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮 ② 信赖性优良 ③ 应用广泛 |
二、LED衬底材料
1、LED衬底的概念及作用
衬底又称基板,也有称之为支撑衬底。衬底只要是外延层生长的基板,在生产和制作过程中,起到支撑和固定的作用。它与外延层的特性配合要求比较严格,否则会影响到外延层的生长或是芯片的品质。
2、LED衬底材料的种类
对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。
蓝宝石(Al2O3)
GaN基系列三种衬底材料 硅(Si)
碳化硅(SiC)
1)蓝宝石衬底
通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石的硬度非常高,在自然材料中其硬度仅次于金刚石,但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割(从400nm减到100nm左右)。
优点:①蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好
②蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中
③蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗
缺点:①晶格失配和热应力失配,会在外延层中产生大量缺陷;
②蓝宝石是一种绝缘体,在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少;
③增加了光刻、蚀刻工艺过程,制作成本高。
2)硅衬底
硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式,分别是L接触(Lateral-contact , 水平接触)和V接触(Vertical-contact,垂直接触)[以下简称为L型电极和V型电极]。通过这两种接触方式,LED芯片内部的电流可以是横向流动的,也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动,因此增大了LED的发光面积,从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体,所以器件的导热性 能可以明显改善,从而延长了器件的寿命。
3)碳化硅衬底
碳化硅衬底(CREE公司专门采用SiC材料作为衬底)的LED芯片,电极是L型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器件
SiC是IV-IV族二元化合物,也是元素周期表IV族元素中唯一的稳定固态化合物,一种重要的半导体材料。它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,同时又可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。
优点:①碳化硅的导热系数为490W/m·K
②要比蓝宝石衬底高出10倍以上
缺点:①碳化硅制造成本较高
②实现其商业化还需要降低相应的成本
4)三种衬底的性能比较
衬底材料 |
导热系数 (W/(m·k)) |
膨胀系数 (*10E-6) |
稳定性 |
导热性 |
成本 |
抗静电能力 |
蓝宝石 (Al2O3) |
46 |
1.9 |
一般 |
差 |
中 |
一般 |
硅(Si) |
150 |
5-20 |
良 |
好 |
低 |
好 |
碳化硅 (SiC) |
490 |
-1.4 |
良 |
好 |
高 |
好 |
三、LED外延片
1、LED外延片生长的概念
外延片是在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。
外延片的检测一般分为两大类:
一是光学性能检测,主要参数包括工作电压,光强,波长范围,半峰宽,色温,显色指数等等,这些数据可以用积分球测试。
二是可靠性检测,主要参数包括光衰,漏电,反压,抗静电,I-V曲线等等,这些数据一般通过老化进行测试。
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